- Mounting Style :
- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,171
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V Single NCh Logic Level PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 6.1 A | 27 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,405
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 6.1 A | 26.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,346
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 70 V | 6.1 A | 130 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
699
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 40 V | 6.1 A | 26 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,099
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 6.1 A | 1.52 Ohms | 2.5 V | 15 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
919
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | GaN | N-Channel | 600 V | 6.1 A | 600 mOhms | 3.5 V | 21 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
1,211
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 6.1A DPAK-2 CoolMOS CP | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | GaN | N-Channel | 600 V | 6.1 A | 600 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
475
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 6.1A TO220FP-3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 6.1 A | 650 mOhms | 3 V | 15 nC | CoolMOS |
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