- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
5,067
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET -60V -12A P-Channel | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 12 A | 155 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,423
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | Si | P-Channel | - 60 V | - 12 A | 155 mOhms | 15 nC | ||||||
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Ein Angebot |
2,026
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 12 A | 30 mOhms | 2.5 V | 26 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,299
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET -60V -12A P-Channel | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 12 A | 156 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
789
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 12 A | 175 mOhms | - 4 V | 12.7 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,760
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 12 A | 16.1 mOhms | - 1.8 V | 18 nC | ||||
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Ein Angebot |
973
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 12 A | 175 mOhms | 12.7 nC | |||||||
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Ein Angebot |
2,529
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -30V -12A Middle Power MOSFET | 20 V | SMD/SMT | HSMT-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 39 V | - 12 A | 61 mOhms | - 2.5 V | 62 nC | ||||||
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Ein Angebot |
2,250
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET -60V -12A P-Channel | 20 V | Through Hole | IPAK | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 12 A | 155 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,263
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 8.5nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 12 A | 19.7 mOhms | 18 nC |
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