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- Package / Case :
- Id - Continuous Drain Current :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
17,648
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Nexperia | MOSFET 55V N-channel Trench MOSFET | 10 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 210 mA | 2.3 Ohms | 600 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
8,488
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 380 mA | 1.2 Ohms | 500 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
5,566
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K | 12 V | SMD/SMT | X1-DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 750 mA | 550 mOhms | 500 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,668
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V | 12 V | SMD/SMT | U-DFN1212-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 900 mA | 350 mOhms | 450 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,340
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | 20 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 340 mA | 1.2 Ohms | 500 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
9,000
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 380 mA | 1.2 Ohms | 500 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
12,000
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss | 20 V | SMD/SMT | X1-DFN1212-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 310 mA | 2 Ohms | 1 V | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd | 12 V | SMD/SMT | X1-DFN1212-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 900 mA | 350 mOhms | 450 mV | 500 pC | Enhancement |
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