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20 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
10,906
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 900 uOhms | 1.2 V | 78 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
3,601
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET | 12 V | SMD/SMT | Power-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 35 A | 1.23 mOhms | 1.3 V | 78 nC | Enhancement | Power Clip | ||
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Ein Angebot |
1,240
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 44 A | 67 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET III | ||
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Ein Angebot |
846
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V, 20A SuperFET | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 171 mOhms | 5 V | 78 nC | SuperFET | ||||
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Ein Angebot |
702
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 23 A | 220 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET II | ||
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Ein Angebot |
1,717
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 44 A | 70 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET III | ||
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Ein Angebot |
3,612
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Nexperia | MOSFET N-Ch 30V 1.25mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 1.25 mOhms | 1.46 V | 78 nC | ||||
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Ein Angebot |
5,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 900 uOhms | 1.2 V | 78 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,854
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT8 30V/20V Nch PowerTrench SyncFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 29 A | 1.5 mOhms | 1.7 V | 78 nC | Enhancement | PowerTrench SyncFET | ||
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Ein Angebot |
240
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive | 20 V, 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 29 A | 125 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET II | ||
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Ein Angebot |
303
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 44 A | 67 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET III | ||
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Ein Angebot |
2,608
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 90 A | 3 mOhms | 1.2 V | 78 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
210
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 800V 220mOhm, max die of TO220F PKG | 20 V, 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 23 A | 220 mOhms | 2.5 V | 78 nC | Enhancement | SuperFET II | ||
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Ein Angebot |
53
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IXYS | MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 42 A | 185 mOhms | 5 V | 78 nC | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 250V 3... | 30 V | Through Hole | ISOPLUS-i4-PAK-5 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | N-Channel | 250 V | 30 A | 60 mOhms | 4.5 V | 78 nC | |||||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 50Amps 250V | 30 V | Through Hole | TO-3P-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 50 A | 60 mOhms | 5 V | 78 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
15
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IXYS | MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 50 A | 60 mOhms | 5 V | 78 nC | Enhancement | |||
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34
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IXYS | MOSFET 120 Amps 75V | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | Si | N-Channel | 75 V | 120 A | 7.7 mOhms | 4 V | 78 nC | Enhancement | TrenchT2 | |||
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312
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Texas Instruments | MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 50 A | 3.4 mOhms | 2.7 V | 78 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,460
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 90 A | 3 mOhms | 1.2 V | 78 nC | Enhancement | OptiMOS |
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