- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,010
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | N-Channel | 30 V | 38 A | 1.09 mOhms | 3 V | 143 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 240 A | 6 mOhms | 2 V | 143 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
219
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 80 A | 40 mOhms | 2.7 V | 143 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,076
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 100V 170A 4.7 mOhm Automotive MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 4.7 mOhms | 4 V | 143 nC | |||||
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Ein Angebot |
260
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 650V/9A Power MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 64 A | 51 mOhms | 3 V | 143 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,148
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 3.9 mOhms | 4 V | 143 nC | |||||
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Ein Angebot |
326
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 3.9 mOhms | 143 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 10 hm, 143 nC Qg, D2Pak | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 3.9 mOhms | 143 nC | Enhancement | |||||
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siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A | 25 V | Through Hole | TO-247-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 710 V | 58 A | 37 mOhms | 4 V | 143 nC | MDmesh | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 100V 170A 4.7 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 3.9 mOhms | 143 nC |
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