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12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,727
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 26 A | 18 mOhms | 2.5 V | 17 nC | |||||
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Ein Angebot |
2,750
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 17.6 A | 34 mOhms | 1.9 V | 17 nC | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
1,180
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T5 100V LL S08FL | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 19 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
914
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T5 100V LL S08FL | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 19 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,651
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 15 A STripFET F7 Power M... | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 15 A | 14 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,402
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | 20 V | SMD/SMT | POWERDI5060-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 37 A | 12 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
177
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 6.5 mOhms | 2.25 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
396
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide | - 6 V to 22 V | SMD/SMT | TO-268-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | SiC | N-Channel | 1.7 kV | 5.9 A | 750 mOhms | 1.6 V | 17 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,848
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Powe... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | 2 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 57 A | 11 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,997
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 6.5 mOhms | 2.25 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,844
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30V 0.0042 Ohm 75A STripFET VI | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 75 A | 5.9 mOhms | 1.7 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
866
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 8.2 mOhms | 1.35 V to 2.35 V | 17 nC | Enhancement |
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