- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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11 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
13,131
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.6 A | 200 mOhms | 17 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
4,653
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 19.5 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,996
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | SOT-223-4 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 6.6 A | 28 mOhms | 17 nC | PowerTrench | |||||||
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Ein Angebot |
1,180
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T5 100V LL S08FL | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 19 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
914
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T5 100V LL S08FL | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 19 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,328
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 19.5 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,420
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.6 A | 200 mOhms | 4 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,224
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET PLANAR_MOSFETS | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 100 V | 3.2 A | 92 mOhms | 4 V | 17 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,009
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET N-Channel MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 100 A | 17.6 mOhms | 2.4 V | 17 nC | Enhancement | NexFET | |||
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Ein Angebot |
1,485
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 100V, NCh NexFET | 2.8 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 50 A | 14.1 mOhms | 2.8 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 19.5 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement |
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