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6 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
6,320
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 700 mA | 2.4 Ohms | 6 nC | ||||||
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Ein Angebot |
5,848
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 620 mA | 620 mOhms | - 2 V | 6 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
2,644
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 2 A | 48 mOhms | 1 V | 6 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,465
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40mOhm -25V -5.2A | - 6 V | SMD/SMT | U-WLB1515-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 25 V | - 4 A | 33 mOhms | - 1.1 V | 6 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
553
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-6 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 4 A | 48 mOhms | - 2.5 V | 6 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
24,000
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET P-CH -20 V -2 A | SMD/SMT | SOT-23-3 | Reel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2 A | 120 mOhms | 6 nC |
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