- Mounting Style :
- Package / Case :
- Transistor Polarity :
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17 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,397
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 150V SO-8 | +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 18 A | 0.07 Ohms | 2.5 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,345
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 39 A | 28 mOhms | 2.5 V | 33 nC | ||||
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Ein Angebot |
3,942
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | SIPMOS | ||
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Ein Angebot |
8,510
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 99 A | 6.8 mOhms | 2.5 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,840
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 52 mOhms | 4.7 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,148
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 62 A | 9 mOhms | - 1 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,896
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.6 mOhms | 1 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,390
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Ch 25V 3.15 mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 3.15 mOhms | 1.54 V | 33 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,377
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.6 mOhms | 1 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,383
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 90 A | 4.1 mOhms | 4 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
807
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 85 V | 44 A | 22 mOhms | 4.5 V | 33 nC | Enhancement | TrenchMV | ||
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Ein Angebot |
1,010
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 4.2 mOhms | 33 nC | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
955
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 4.2 mOhms | 33 nC | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
4,973
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 30 A | 15.9 mOhms | 1.6 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
69
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 60 A | 5.4 mOhms | 2 V | 33 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
641
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 27 A | 70 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement |
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