- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Maximum Operating Temperature :
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13 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
12,234
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 2.2 A | 240 mOhms | 33 nC | |||||||
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Ein Angebot |
3,942
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | SIPMOS | ||
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Ein Angebot |
3,551
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT8PZ 30/25V VIS with 2.05x2.05 PQFN pkg | 25 V | SMD/SMT | PQFN-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 11 A | 11 mOhms | - 2.6 V | 33 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
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Ein Angebot |
2,464
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 2.2 A | 240 mOhms | - 5 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,809
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.9 A | 110 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,657
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOIC-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 12.5 A | 10 mOhms | - 2.5 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,148
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 62 A | 9 mOhms | - 1 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,593
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 52 A | 10 mOhms | - 2.5 V | 33 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,176
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.9 A | 110 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V | +/- 6 V | SMD/SMT | UFM-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 5.4 A | 14 mOhms | - 1 V | 33 nC | Enhancement | |||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET Dual 30V P channel MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 7.1 A | 25 mOhms | - 3 V | 33 nC | |||||||
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Ein Angebot |
641
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 27 A | 70 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement |
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