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- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Minimum Operating Temperature :
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8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
2,756
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 110A 4.2MO | SMD/SMT | SO-FL-8 | Reel | Si | N-Channel | 40 V | 20 A | 6.5 mOhms | 3 V | 25 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
485
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | VSON-4 | - 40 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 19 A | 0.149 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
230
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
200
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET Power MOSFET N-Channel | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 9.7 A | 350 mOhms | 3 V | 25 nC | Enhancement |
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