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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | |
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Ein Angebot |
4,705
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Toshiba | MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 10 A | 750 mOhms | 4 V | 25 nC |
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