- Hersteller :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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6 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK1212-8W | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 18 A | 0.016 Ohms | 1.5 V | 25 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
230
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS |
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