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Package / Case :
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Rds On - Drain-Source Resistance :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode Tradename
BSC160N10NS3 G
1+
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3 20 V SMD/SMT TDSON-8 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 100 V 42 A 13.9 mOhms 2 V 25 nC Enhancement OptiMOS
FDMS86250
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Fairchild Semiconductor MOSFET PT5 150V/20V Nch Power Trench MOSFET   SMD/SMT Power-56-8   + 150 C Reel   Si N-Channel 150 V 42 A 33 mOhms   25 nC   PowerTrench
BSC160N10NS3GATMA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3 20 V SMD/SMT TDSON-8 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 100 V 42 A 13.9 mOhms 2 V 25 nC Enhancement OptiMOS