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21 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
113
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds | 30 V | Through Hole | PLUS-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 44 A | 220 mOhms | 6.5 V | 305 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
150
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | 30 V | Through Hole | PLUS-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 30 A | 350 mOhms | 6.5 V | 310 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
816
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 12 A | 1.35 Ohms | 6.5 V | 103 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1200V | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 32 A | 310 mOhms | 6.5 V | 360 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
520
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 12 Amps 1000V | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 12 A | 1.05 Ohms | 6.5 V | 80 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 16 A | 950 mOhms | 6.5 V | 120 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 26 A | 500 mOhms | 6.5 V | 255 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
75
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 26 Amps 1200V | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 26 A | 500 mOhms | 6.5 V | 255 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
57
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds | 30 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 37 A | 220 mOhms | 6.5 V | 305 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
76
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 15 A | 760 mOhms | 6.5 V | 97 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
55
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 10 Amps 1000V | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 10 A | 1.4 Ohms | 6.5 V | 56 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 32 A | 320 mOhms | 6.5 V | 225 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
28
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 15 A | 500 mOhms | 6.5 V | 225 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
21
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 11 A | 640 mOhms | 6.5 V | 126 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 15 A | 430 mOhms | 6.5 V | 197 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 32 A | 320 mOhms | 6.5 V | 225 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 20 A | 570 mOhms | 6.5 V | 126 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 27 A | 320 mOhms | 6.5 V | 225 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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siehe | IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 20 A | 570 mOhms | 6.5 V | 126 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||||
|
siehe | IXYS | MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 20 A | 570 mOhms | 6.5 V | 193 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||||
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siehe | IXYS | MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 20 A | 570 mOhms | 6.5 V | 193 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET |
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