- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Id - Continuous Drain Current :
23 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
6,462
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ON Semiconductor | MOSFET T1 60V PCH | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.1 A | 183 mOhms | - 2.5 V | 4.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
111,683
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 5.3 A | 0.079 Ohms | - 2.5 V | 22 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
54,053
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-236-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.7 A | 0.268 Ohms | - 2.5 V | 8.5 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
6,078
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 50 A | 0.0135 Ohms | - 2.5 V | 150 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
5,382
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 120 A | 0.0056 Ohms | - 2.5 V | 270 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
9,628
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 20 A | 0.046 Ohms | - 2.5 V | 41 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
3,938
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 52 A | 0.0155 Ohms | - 2.5 V | 108 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,524
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 4.6 A | 0.067 Ohms | - 2.5 V | 40 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
9,332
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 100 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.6 A | 0.23 Ohms | - 2.5 V | 5.4 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
2,573
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8 A | 0.07 Ohms | - 2.5 V | 40 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
2,765
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 36 A | 21 mOhms | - 2.5 V | 100 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,692
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.8 A | 0.13 Ohms | - 2.5 V | 15 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
974
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 42 A | 23 mOhms | - 2.5 V | 30 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,726
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.8 A | 0.13 Ohms | - 2.5 V | 12 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,877
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 5.3 A | 0.079 Ohms | - 2.5 V | 22 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
115
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 35 A | 25 mOhms | - 2.5 V | 30 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
23,995
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-1212-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 16 A | 0.05 Ohms | - 2.5 V | 38 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
13,460
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 30 A | 0.013 Ohms | - 2.5 V | 140 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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Ein Angebot |
1,600
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 50 A | 0.013 Ohms | - 2.5 V | 155 nC | Enhancement | TrenchFET | ||||
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siehe | Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 100 A | 0.0072 Ohms | - 2.5 V | 300 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-1212-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 16 A | 0.05 Ohms | - 2.5 V | 38 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 110 A | 0.0071 Ohms | - 2.5 V | 200 nC | Enhancement | TrenchFET | |||||
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siehe | Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 120 A | 0.0056 Ohms | - 2.5 V | 270 nC | Enhancement |
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