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Vgs - Gate-Source Voltage :
Minimum Operating Temperature :
Packaging :
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Id - Continuous Drain Current :
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
Qg - Gate Charge :
6 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode Tradename
IXFA10N60P-TRL
1+
$1.1040
10+
$0.9360
100+
$0.8120
250+
$0.7720
800+
$0.5840
Ein Angebot
RFQ
595
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IXYS MOSFET 600V 10A 30 V SMD/SMT TO-263-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 600 V 10 A 740 mOhms 5.5 V 32 nC Enhancement  
IXFA10N60P
1+
$1.1040
10+
$0.9360
100+
$0.8120
250+
$0.7720
Ein Angebot
RFQ
240
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IXYS MOSFET 600V 10A 30 V SMD/SMT TO-263-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 600 V 10 A 740 mOhms     Enhancement HyperFET
IXTP10N60P
1+
$1.1320
10+
$0.9600
100+
$0.7680
500+
$0.6760
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RFQ
33
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IXYS MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds 30 V Through Hole TO-220-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 600 V 10 A 740 mOhms 5 V 32 nC Enhancement PolarHV
IXFP10N60P
1+
$1.0600
10+
$0.9000
100+
$0.7840
250+
$0.7440
Ein Angebot
RFQ
90
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IXYS MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 30 V Through Hole TO-220-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 600 V 10 A 740 mOhms     Enhancement HyperFET
IPD70R900P7SAUMA1
1+
$0.3560
10+
$0.2944
100+
$0.1900
1000+
$0.1520
2500+
$0.1284
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RFQ
323
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Infineon Technologies MOSFET 16 V SMD/SMT TO-252-3 - 40 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 700 V 6 A 740 mOhms 2.5 V 6.8 nC Enhancement CoolMOS
IPS70R900P7SAKMA1
1+
$0.3560
10+
$0.2944
100+
$0.1900
1000+
$0.1520
Ein Angebot
RFQ
285
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Infineon Technologies MOSFET 16 V Through Hole TO-251-3 - 40 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 700 V 6 A 740 mOhms 2.5 V 6.8 nC Enhancement CoolMOS