- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,966
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 116 A | 5.1 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
5,579
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 5.1 mOhms | 20 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
669
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 55V NCHAN UltraFET | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 80 A | 5.1 mOhms | UltraFET | |||||||
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Ein Angebot |
799
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 110 A | 5.1 mOhms | 3.7 V | 88 nC | StrongIRFET | ||||
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Ein Angebot |
797
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 110 A | 5.1 mOhms | 3.7 V | 130 nC | Enhancement | StrongIRFET | |||||
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Ein Angebot |
272
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 80 A | 5.1 mOhms | 1.2 V | 233 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET | 20 V | SMD/SMT | HSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 30 A | 5.1 mOhms | 1.2 V | 24.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,595
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-2... | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 200 A | 5.1 mOhms | 1.5 V | 44 nC | Enhancement | NexFET | |||
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Ein Angebot |
95
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-channel NexFET Power MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 5.1 mOhms | 1.5 V | 44 nC | Enhancement | NexFET | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 5.1 mOhms | |||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 80 A | 5.1 mOhms | 1.2 V | 233 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Nexperia | MOSFET Std N-chanMOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 100 A | 5.1 mOhms |
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