- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Id - Continuous Drain Current :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
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16 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,242
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 75 V | 20 V | SMD/SMT | PowerSO-10 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 240 A | 2.3 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,351
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V N-Channel QFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 5.4 A | 2.3 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
825
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V N-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 3 A | 2.3 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
841
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | 30 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6 A | 2.3 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
3,216
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET | 20 V | SMD/SMT | U-DFN2020-E-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 300 V | 550 mA | 2.3 Ohms | 1 V | 7.6 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
17,648
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 55V N-channel Trench MOSFET | 10 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 210 mA | 2.3 Ohms | 600 mV | 500 pC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
13,140
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 30V 154mA N-Channel | 10 V | SMD/SMT | SC-75-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 154 mA | 2.3 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
580
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6 A | 2.3 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
590
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6 A | 2.3 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
206
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 1.6 A | 2.3 Ohms | 23.7 nC | ||||||
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Ein Angebot |
5,982
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-323-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.3 Ohms | 800 mV | 1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | N-Channel | 650 V | 2 A | 2.3 Ohms | 3 V | 4.3 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
198
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Si | N-Channel | 650 V | 2 A | 2.3 Ohms | 3 V | 4.3 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,783
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-323-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.3 Ohms | 800 mV | 1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 1.6 A | 2.3 Ohms | ||||||||||
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siehe | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 1.6 A | 2.3 Ohms | 23.7 nC | Depletion |
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