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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
570
Verfügbar auf Lager
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GaN Systems | MOSFET 650V 30A E-Mode GaN | 10 V | SMD/SMT | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | GaN | N-Channel | 650 V | 55 mOhms | 1.6 V | 6.5 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
782
Verfügbar auf Lager
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GaN Systems | MOSFET 650V 30A E-Mode GaN | 10 V | SMD/SMT | - 55 C | + 150 C | Reel | GaN | N-Channel | 650 V | 55 mOhms | 1.6 V | 6.5 nC | Enhancement | |||||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET | 10 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 45 A | 55 mOhms |
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