- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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22 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
9,369
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 1.9 A | 3.6 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,728
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 800V N-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 3.9 A | 3.6 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
1,549
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 800V N-Channel QFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 3.9 A | 3.6 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
36
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 8 Amps 1500V | 30 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1500 V | 7.5 A | 3.6 Ohms | 5 V | 250 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,860
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 620 V | 2.2 A | 3.6 Ohms | 15 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,245
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH | 30 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 620 V | 2.2 A | 3.6 Ohms | 15 nC | ||||||
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Ein Angebot |
145
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 5 A | 3.6 Ohms | ||||||||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 8 Amps 1500V | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | N-Channel | 1500 V | 8 A | 3.6 Ohms | 8 V | 250 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
44,164
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | 20 V | SMD/SMT | SOT-416-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 mA | 3.6 Ohms | |||||||||
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Ein Angebot |
20,950
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | SOT-723-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 mA | 3.6 Ohms | |||||||||||
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Ein Angebot |
4,072
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD | SMD/SMT | ES6-6 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 mA | 3.6 Ohms | ||||||||||
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Ein Angebot |
5,584
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS | 20 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 mA | 3.6 Ohms | |||||||||
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Ein Angebot |
1,428
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 2.4 A | 3.6 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
56
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Standard Linear Power MOSFET | 30 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Si | N-Channel | 1500 V | 8 A | 3.6 Ohms | 8 V | 250 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
12,443
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET Small Signal MOSFET | +/- 8 V | SMD/SMT | SOT-416-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 330 mA | 3.6 Ohms | - 300 mV | 1.2 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
9,486
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS | 20 V | SMD/SMT | CST3-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 mA | 3.6 Ohms | |||||||||
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siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A | 30 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 2.4 A | 3.6 Ohms | Enhancement | |||||||
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siehe | IXYS | MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 3.6 A | 3.6 Ohms | Enhancement | HyperFET | ||||||
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siehe | IXYS | MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 3.6 A | 3.6 Ohms | Enhancement | HyperFET | ||||||
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Ein Angebot |
1,874
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 2.4 A | 3.6 Ohms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
563
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 2.4 A | 3.6 Ohms | Enhancement | ||||||
|
siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 620 V | 2.2 A | 3.6 Ohms | 15 nC |
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