Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Vgs - Gate-Source Voltage	Mounting Style	Package / Case	Minimum Operating Temperature	Maximum Operating Temperature	Packaging	Number of Channels	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Rds On - Drain-Source Resistance	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	Qg - Gate Charge	Channel Mode	Tradename
IPD60R750E6ATMA1	1+ $0.4560 10+ $0.3880 100+ $0.2980 500+ $0.2636 2500+ $0.1844	Ein Angebot	PDF RFQ	5,000 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2	20 V	SMD/SMT	TO-252-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	5.7 A	680 mOhms	2.5 V	17.2 nC	Enhancement	CoolMOS
SPD06N60C3ATMA1	1+ $0.6440 10+ $0.5480 100+ $0.4360 500+ $0.3816 2500+ $0.2944	Ein Angebot	PDF RFQ	1,141 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_LEGACY	20 V	SMD/SMT	TO-252-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	6.2 A	680 mOhms	2.1 V	31 nC	Enhancement	CoolMOS
IPA60R750E6	1+ $0.4880 10+ $0.4200 100+ $0.3196 500+ $0.2824	Ein Angebot	PDF RFQ	765 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6	20 V	Through Hole	TO-220FP-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	5.7 A	680 mOhms	2.5 V	17.2 nC	Enhancement	CoolMOS
IPP60R750E6	1+ $0.4960 10+ $0.4240 100+ $0.3244 500+ $0.2864	Ein Angebot	PDF RFQ	251 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220-3 CoolMOS E6	20 V	Through Hole	TO-220-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	5.7 A	680 mOhms				CoolMOS
TK6P60W,RVQ	1+ $0.7280 10+ $0.5880 100+ $0.4720 500+ $0.4120 2000+ $0.3176	Ein Angebot	PDF RFQ	615 Verfügbar auf Lager	Toshiba	MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC	30 V	SMD/SMT	TO-252-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	6.2 A	680 mOhms	2.7 V to 3.7 V	12 nC	Enhancement
TK6Q60W,S1VQ	1+ $0.7240 10+ $0.5840 100+ $0.4680 500+ $0.4080	Ein Angebot	PDF RFQ	78 Verfügbar auf Lager	Toshiba	MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC	30 V	Through Hole	TO-251-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	6.2 A	680 mOhms	2.7 V to 3.7 V	12 nC		DTMOSIV
TK6A60W,S4VX	1+ $0.9000 10+ $0.7280 100+ $0.5800 500+ $0.5080	Ein Angebot	PDF RFQ	121 Verfügbar auf Lager	Toshiba	MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC	30 V	Through Hole	TO-220FP-3	- 55 C	+ 150 C		1 Channel	Si	N-Channel	600 V	6.2 A	680 mOhms	2.7 V to 3.7 V	12 nC	Enhancement
IPA60R750E6XKSA1	1+ $0.4880 10+ $0.4200 100+ $0.3196 500+ $0.2824	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6	20 V	Through Hole	TO-220FP-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	5.7 A	680 mOhms	2.5 V	17.2 nC	Enhancement	CoolMOS
STFI10N62K3	1+ $1.1120 10+ $0.9480 100+ $0.8200 250+ $0.7800	Ein Angebot	PDF RFQ	1,500 Verfügbar auf Lager	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 620 V 0.68 Ohm 8.4 A SuperMESH3	30 V	Through Hole	TO-281-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	620 V	8.4 A	680 mOhms	3.75 V	42 nC	Enhancement
STF10N62K3	1+ $0.8080 10+ $0.6520 100+ $0.5200 500+ $0.4560	Ein Angebot	PDF RFQ	998 Verfügbar auf Lager	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22	30 V	Through Hole	TO-220-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	620 V	8.4 A	680 mOhms		42 nC
STP13N95K3	1000+ $1.3160 3000+ $1.2520	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A	30 V	Through Hole	TO-220-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	950 V	10 A	680 mOhms	4 V	51 nC
STW13N95K3	600+ $1.5560 1200+ $1.4280 2400+ $1.3760	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A	30 V	Through Hole	TO-247-3	- 55 C	+ 150 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	950 V	10 A	680 mOhms	4 V	51 nC