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- Maximum Operating Temperature :
- Transistor Polarity :
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18 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,966
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 530 mOhms | 5 V | 34 nC | UniFET | |||||
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Ein Angebot |
1,456
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 530 mOhms | 5 V | 26 nC | UniFET | ||||||
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Ein Angebot |
2,766
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7 A | 530 mOhms | Enhancement | SuperFET | |||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A | Through Hole | TO-251-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 8 A | 530 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
3,238
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V P-Channel QFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 6.6 A | 530 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,258
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V N-Channel SuperFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7 A | 530 mOhms | Enhancement | SuperFET | |||||
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Ein Angebot |
676
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V N-Channel SuperFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7 A | 530 mOhms | Enhancement | SuperFET | |||||
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Ein Angebot |
1,972
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7 A | 530 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,171
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V P-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 8 A | 530 mOhms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
1,196
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V P-Channel QFET | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 6.6 A | 530 mOhms | QFET | |||||||
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Ein Angebot |
386
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V P-Channel QFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 8 A | 530 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
914
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 400 V | 11 A | 530 mOhms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
172
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 400 V | 11 A | 530 mOhms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
118
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x5-12 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 8.5 A | 530 mOhms | 4 V | 17 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
175
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET Power MOSFET N-Channel | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 7.8 A | 530 mOhms | 2.5 V | 16 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
186
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | 30 V | Through Hole | T-MAX-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 1200 V | 29 A | 530 mOhms | 4 V | 300 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
10,000
Verfügbar auf Lager
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Central Semiconductor | MOSFET 600V N-Ch PFC FET 0.53Ohm 30Vgs 60W | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7 A | 530 mOhms | 2 V | 14.5 nC | Enhancement | UltraMOS | |||
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Ein Angebot |
3,073
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 0.42 Ohm 8.5A MDmesh M5 | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-HV-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 8.5 A | 530 mOhms | 5 V | 17 nC |
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