- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
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32 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,731
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2.3 V | 63.4 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,845
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V 80A NChnl Logic Level Power Trench | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 2.9 mOhms | 1 V | 83 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
1,775
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | H-PSOF-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 240 A | 2.9 mOhms | 2 V | 130 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
1,974
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET Update code D | 20 V | SMD/SMT | H-PSOF-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 240 A | 2.9 mOhms | 2 V | 130 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
14,101
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | 1.2 V | 64 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,327
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 120 V | 180 A | 2.9 mOhms | 2 V | 211 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,639
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2.3 V | 63.4 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
4,373
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 40 V 3.8 mo FET | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | 1.7 V | 30.2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,125
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | 1.2 V | 64 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
3,909
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET Enh Mode FET 41V to 60V TO263 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2 V | 95.4 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,985
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 60 V 4.8 mo FET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 2.9 mOhms | 3 V | 73.1 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 120 V | 180 A | 2.9 mOhms | 2 V | 211 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,910
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET BUK762R9-40E/D2PAK/REEL 13" Q1 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | 3 V | 79 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 35.5 A | 2.9 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
507
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | 1 V | 96 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
451
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2 | +/- 16 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 120 A | 2.9 mOhms | - 2.2 V | 234 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A | Through Hole | TO-247-3 | Tube | Si | N-Channel | 100 V | 360 A | 2.9 mOhms | HiPerFET | ||||||||||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 360 A | 2.9 mOhms | 2.5 V to 4.5 V | 525 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
2,458
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET 8-VSONP -55 to... | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 60 A | 2.9 mOhms | 1 V | 54 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
497
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 60 A | 2.9 mOhms | 1 V | 54 nC | Enhancement | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,930
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 60 A | 2.9 mOhms | 1.1 V | 53 nC | Enhancement | NexFET | |||
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Ein Angebot |
298
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2.6 V | 76 nC | NexFET | ||||
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Ein Angebot |
15,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 55 A | 2.9 mOhms | 2 V | 63 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T6 40V SL DPAK | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 101 A | 2.9 mOhms | 2 V | 34.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
498
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2 | +/- 16 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 120 A | 2.9 mOhms | - 2.2 V | 234 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Renesas Electronics | MOSFET MP-25ZK PoTr-MOSFET Low | 20 V | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 88 A | 2.9 mOhms | Enhancement | ||||||||
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Ein Angebot |
2,142
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 123 A | 2.9 mOhms | 3.5 V | 74 nC | |||||
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Ein Angebot |
130
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET Std N-chanMOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.9 mOhms | |||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 120 A | 2.9 mOhms | 2 V | 53 nC | ||||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3Pin(3+Tab) | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 198 A | 2.9 mOhms |
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