- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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22 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
6,760
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench | 8 V | SMD/SMT | WLCSP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 3.8 A | 68 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
292
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 54 A | 68 mOhms | 5 V | 126 nC | SuperFET II | |||
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Ein Angebot |
197
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 39 A | 68 mOhms | 2.5 V | 116 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
230
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 39 A | 68 mOhms | 2.5 V | 116 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
4,280
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 10 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 20 A | 68 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,751
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 5.6 A | 68 mOhms | 1 V | 10.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,484
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY | 20 V | SMD/SMT | MicroFET-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 3.7 A | 68 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF | 20 V | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 3.8 A | 68 mOhms | 1.5 V | 10.6 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,430
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET BUK9M85-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/ | 10 V | SMD/SMT | LFPAK33-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 12.8 A | 68 mOhms | 1.4 V | 4.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,968
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 7 A | 68 mOhms | 2 V | 12 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
40
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 78 A | 68 mOhms | 5 V | 147 nC | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
2,167
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS | 12 V | SMD/SMT | U-DFN2020-B-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 3.8 A | 68 mOhms | - 900 mV | 6.5 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
29
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 650V/9A Power MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 52 A | 68 mOhms | 3 V | 113 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
658
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 8.5 A | 68 mOhms | 10.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
21
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 78 A | 68 mOhms | 5 V | 147 nC | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
3,033
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching | 10 V | SMD/SMT | TSST-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2.5 A | 68 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
14,995
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET -30V -4.7A P-Channel | 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 4.7 A | 68 mOhms | Enhancement | |||||
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siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 35 A | 68 mOhms | 2.5 V to 3.5 V | 100 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 35 A | 68 mOhms | 2.5 V to 3.5 V | 100 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
8,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Ch PowerTrench | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 12 A | 68 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
385
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | 10 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 20 A | 68 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
326
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 6 A | 68 mOhms | 10.5 nC |
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