- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
5,028
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 10 A | 31 mOhms | 3 V to 5 V | 36 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,980
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 32 A | 31 mOhms | 1 V | 27 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,399
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 33 A | 31 mOhms | 4 V | 29 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
4,068
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 7 A | 31 mOhms | 18.6 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,818
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.6 A | 31 mOhms | 1 V | 6.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
656
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET DRVE PCH MOSFET W/4V | 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5 A | 31 mOhms | 4 V | 120 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET; 30V 6.5A N CHANNEL | 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 6.5 A | 31 mOhms | 11 nC | |||||
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Ein Angebot |
737
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC | 20 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 33 A | 31 mOhms | 19.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
167
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 33 A | 31 mOhms | 2 V to 4 V | 19.3 nC | Enhancement |
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