- Mounting Style :
- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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36 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
16,362
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 3.8 A | 190 mOhms | - 4 V | 26.9 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,703
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V P-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 3.7 A | 190 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,115
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20.7 A | 190 mOhms | 3 V | 87 nC | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
2,920
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.7 A | 190 mOhms | 6.9 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,469
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 21A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 21 A | 190 mOhms | 3 V | 95 nC | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.6 A | 190 mOhms | 5 V | 60 nC | Enhancement | SuperFET II FRFET | |||
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Ein Angebot |
531
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20.7 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
12,981
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | 20 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 1 A | 190 mOhms | 2 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
686
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20.2 A | 190 mOhms | CoolMOS | ||||||
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Ein Angebot |
417
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 21 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
549
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.7 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
556
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 21 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
459
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 21 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
17,914
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | 20 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 1 A | 190 mOhms | 2.8 V | 2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
632
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
507
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6 | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
1,008
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 3.4 A | 190 mOhms | 25 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
5,601
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel 1.08W | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 2.7 A | 190 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
660
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.7 A | 190 mOhms | 6.9 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
501
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20.2 A | 190 mOhms | 63 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
1,449
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 3.5 A | 190 mOhms | - 1 V | 17.7 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
116
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
340
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6 | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 63 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
210
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.2 A | 190 mOhms | 73 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
130
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 3.2 A | 190 mOhms | - 1 V | 17.7 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
17,885
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 3 A | 190 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
2,160
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20.7 A | 190 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 3.1 A | 190 mOhms | Enhancement |
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