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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | |
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA | SMD/SMT | TO-220FP-3 | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 190 mOhms | 5 V | 27 nC |
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