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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | |
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 350 A | 1.7 mOhms | 220 nC |
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