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38 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
3,401
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI | 12 V | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 36 A | 3.8 mOhms | 65 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
23,040
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 25 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 20 A | 3.8 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
4,854
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V 42A N-Channel PowerTrench | 16 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 3.8 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
2,759
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12 S in PowerClip 56 | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 20 A | 3.8 mOhms | PowerTrench SyncFET Power Clip | ||||||
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Ein Angebot |
1,176
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 3.8 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
760
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 120 A | 3.8 mOhms | 4 V | 57 nC | ||||||
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Ein Angebot |
1,442
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 100V 132A 4.8M | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 132 A | 3.8 mOhms | 2 V | 58 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,374
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 120 A | 3.8 mOhms | 2.2 V | 112 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,400
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Chan 80V 120A | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 120 A | 3.8 mOhms | 3 V | 169 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 120 A | 3.8 mOhms | 4 V | 54 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,320
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 93 A | 3.8 mOhms | 1.2 V | 33.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
702
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 90 A | 3.8 mOhms | Enhancement | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
1,015
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 90 A | 3.8 mOhms | Enhancement | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
177
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 3.8 mOhms | 1.2 V | 220 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
130
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 20V Dual N-Channel HEXFET | 12 V | SMD/SMT | DirectFET-SA | - 40 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 15 A | 3.8 mOhms | 0.8 V | 54 nC | ||||
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Ein Angebot |
4,090
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 85 A | 3.8 mOhms | 2 V to 4 V | 49 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
431
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 80V, N-Channel NexFET Power Mosfet | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 150 A | 3.8 mOhms | 2.2 V | 76 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
5,863
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 20 V | SMD/SMT | HSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 22 A | 3.8 mOhms | 1 V | 45 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
70
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-262-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 136 A | 3.8 mOhms | 4 V | 81 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
195
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 25V, -55 to 150 | 10 V, 8 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 60 A | 3.8 mOhms | 600 mV | 9.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
12,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM | SMD/SMT | SO-FL-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19.5 A | 3.8 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
4,986
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 34V 98A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 34 V | 98 A | 3.8 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,490
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM | 20 V | SMD/SMT | WDFN-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 66 A | 3.8 mOhms | 1.1 V | 12.4 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 44 A | 3.8 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM | SMD/SMT | SO-FL-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19.5 A | 3.8 mOhms | ||||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-M2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 72 A | 3.8 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V | SMD/SMT | SO-FL-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 79 A | 3.8 mOhms | ||||||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET 30V N-CH Automotive TrenchMOS | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 75 A | 3.8 mOhms | ||||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | Si | N-Channel | 40 V | 122 A | 3.8 mOhms | 40 nC | |||||||||
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siehe | Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 47 A | 3.8 mOhms | 1.3 V to 2.3 V | 21 nC | Enhancement |
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