MOSFET - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Vgs - Gate-Source Voltage	Mounting Style	Package / Case	Minimum Operating Temperature	Maximum Operating Temperature	Packaging	Number of Channels	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Rds On - Drain-Source Resistance	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	Qg - Gate Charge	Channel Mode
	TK10P60W,RVQ	1+ $1.1040 10+ $0.8880 100+ $0.7120 250+ $0.6760 2000+ $0.4760	Ein Angebot	PDF RFQ	1,201 Verfügbar auf Lager	Toshiba	MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC	30 V	SMD/SMT	TO-252-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	2.7 V to 3.7 V	20 nC	Enhancement
	TK10E60W,S1VX	1+ $1.1200 10+ $0.9000 100+ $0.8200 250+ $0.7400	Ein Angebot	PDF RFQ	97 Verfügbar auf Lager	Toshiba	MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC	30 V	Through Hole	TO-220-3	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	2.7 V to 3.7 V	20 nC	Enhancement
	TK10V60W,LVQ	2500+ $0.5800 5000+ $0.5320	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A		SMD/SMT	DFN8x8-5			Reel	1 Channel	Si	N-Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms

TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

Toshiba

MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

Stock : 1,201

1+: $1.1040

10+: $0.8880

100+: $0.7120

250+: $0.6760

2000+: $0.4760

TK10E60W,S1VX

TK10E60W,S1VX

Toshiba

MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

Stock : 97

1+: $1.1200

10+: $0.9000

100+: $0.8200

250+: $0.7400

TK10V60W,LVQ

TK10V60W,LVQ

Toshiba

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A

Stock : 0

2500+: $0.5800

5000+: $0.5320

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