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Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Rds On - Drain-Source Resistance :
Qg - Gate Charge :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode
IXTA3N150HV
1+
$3.2360
10+
$2.9280
50+
$2.7920
100+
$2.4240
Ein Angebot
RFQ
25
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IXYS MOSFET 30 V SMD/SMT TO-263-3 - 55 C + 150 C   1 Channel Si N-Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 2.5 V 38.6 nC Enhancement
RSR030N06TL
1+
$0.2080
10+
$0.1560
100+
$0.0844
1000+
$0.0636
3000+
$0.0548
Ein Angebot
RFQ
1,697
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ROHM Semiconductor MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A 20 V SMD/SMT SOT-346T-3     Reel 1 Channel Si N-Channel 60 V 3 A 60 mOhms 2.5 V 5 nC  
SSM3K336R,LF
1+
$0.1920
10+
$0.1132
100+
$0.0536
1000+
$0.0412
3000+
$0.0340
Ein Angebot
RFQ
4,353
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Toshiba MOSFET Small Signal Mosfet 20 V   SOT-23-3 - 55 C + 150 C Reel   Si N-Channel 30 V 3 A 140 mOhms 2.5 V 1.7 nC Enhancement