- Hersteller :
- Package / Case :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 1.5 kV | 3 A | 7.3 Ohms | 2.5 V | 38.6 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,697
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A | 20 V | SMD/SMT | SOT-346T-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 3 A | 60 mOhms | 2.5 V | 5 nC | ||||||
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Ein Angebot |
4,353
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET Small Signal Mosfet | 20 V | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 30 V | 3 A | 140 mOhms | 2.5 V | 1.7 nC | Enhancement |
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