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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
4,702
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V | 3 A | 200 mOhms | 12 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,221
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 50V 1 N-CH HEXFET 130mOhms | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V | 3 A | 200 mOhms | 3 V | 10 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V | 3 A | 200 mOhms | 12 nC |
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