- Hersteller :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Ausgewählter Filter :
5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
582
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 60 A | 32 mOhms | 60 nC | |||||
|
|
|
Ein Angebot |
318
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 60 A | 32 mOhms | |||||
|
|
Ein Angebot |
272
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 60 A | 32 mOhms | 60 nC | Enhancement | ||
|
|
|
Ein Angebot |
169
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 60 A | 32 mOhms | 60 nC | Enhancement | ||
|
|
|
Ein Angebot |
2,970
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 60 A | 32 mOhms | 95 nC | Enhancement |
1 / 1 Seite
