- Hersteller :
- Package / Case :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Ausgewählter Filter :
5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Channel Mode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
6,605
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M | 8 V, 8 V | SMD/SMT | XLLGA-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V, 20 V | 200 mA, 200 mA | 800 mOhms, 800 mOhms | 400 mV, 400 mV | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
12,903
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET | 8 V, 8 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V, 50 V | 200 mA, 200 mA | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms | 300 mV, 300 mV | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
11,500
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET | 8 V, 8 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V, 50 V | 200 mA, 200 mA | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms | 300 mV, 300 mV | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
5,063
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive N Ch MOSFET | 8 V, 8 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V, 50 V | 200 mA, 200 mA | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms | 300 mV, 300 mV | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
2,253
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH | 8 V, 8 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V, 50 V | 200 mA, 200 mA | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms | 300 mV, 300 mV | Enhancement |
1 / 1 Seite