- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
11 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
4,120
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 3.4 A | 105 mOhms | 26 nC | Enhancement | |||||
|
Ein Angebot |
4,986
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V P-Ch PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 3.4 A | 130 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
|
Ein Angebot |
2,539
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 | 25 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 3.4 A | 130 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
|
Ein Angebot |
1,992
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 40V P-Ch Enh Mode 20Vgs 587pF 12.2nC | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 3.4 A | 64 mOhms | - 3 V | 12.2 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
1,008
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 3.4 A | 190 mOhms | 25 nC | ||||||||
|
Ein Angebot |
522
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 3.4 A | 105 mOhms | 26 nC | ||||||||
|
Ein Angebot |
1,181
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V P-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 200 V | - 3.4 A | 1.4 Ohms | Enhancement | QFET | |||||
|
Ein Angebot |
2,945
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 3.4 A | 80 mOhms | Enhancement | ||||||
|
Ein Angebot |
2,710
Verfügbar auf Lager
|
Nexperia | MOSFET 30V P-channel MOSFET | 12 V | SMD/SMT | DFN2020-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 3.4 A | 85 mOhms | - 1 V | 7.8 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
4,930
Verfügbar auf Lager
|
Toshiba | MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF | 8 V | SMD/SMT | ES6-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 3.4 A | 154 mOhms | - 0.3 V to - 1 V | 10.4 nC | |||||
|
Ein Angebot |
4,000
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 3.4 A | 105 mOhms | - 3 V | 26 nC |
1 / 1 Seite