- Hersteller :
- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
24,853
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 | 6 V | SMD/SMT | SOT-723-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 780 mA | 380 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
7,692
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 780 mA | 600 mOhms | 2.4 nC | ||||||
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Ein Angebot |
8,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 | 6 V | SMD/SMT | SOT-723-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 780 mA | 380 mOhms | Enhancement |
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