- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Number of Channels :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
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7 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
3,877
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 239 mOhms | - 4 V | - 14 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,740
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 239 mOhms | - 4 V | - 14 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,762
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 210 mOhms | - 2 V | - 20 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,170
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 210 mOhms | - 2 V | - 20 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
5,455
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SSOT-6 P-CH -20V | 8 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.9 A | 170 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
1,048
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 300 mOhms | - 3 V | 9.7 nC | Enhancement | |||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 210 mOhms | - 2 V | - 20 nC | Enhancement |
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