- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
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7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
2,526
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC | 40 V | SMD/SMT | U-DFN2020-E-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 250 V | - 260 mA | 10 Ohms | - 500 mV | 2.8 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,082
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 250 V | - 260 mA | 7.5 Ohms | - 2 V | - 5.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
595
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 250 V | - 260 mA | 7.5 Ohms | - 2 V | - 5.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Microchip Technology | MOSFET 220V 12Ohm | 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 220 V | - 260 mA | 12 Ohms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,900
Verfügbar auf Lager
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Microchip Technology | MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A | 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 220 V | - 260 mA | 12 Ohms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
17
Verfügbar auf Lager
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Microchip Technology | MOSFET 200V 12Ohm | 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 200 V | - 260 mA | 12 Ohms | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | - 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 240 V | - 260 mA | 6 Ohms | - 800 mV | 3.7 nC | Enhancement |
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