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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | |
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch FET 30V 1.6A 1V 500mW | UF6-6 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 30 V | 1.6 A, - 1.4 A | 122 mOhms |
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