- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
15 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
9,421
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET SSOT-6 P-CH | 8 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 33 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
|
Ein Angebot |
14,398
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | 12 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 35 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
|
Ein Angebot |
6,231
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 38 mOhms | - 0.65 V | 17.6 nC | |||||
|
Ein Angebot |
2,762
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES | 20 V | SMD/SMT | ECH-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 58 mOhms | 13 nC | ||||||
|
Ein Angebot |
2,590
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | +/- 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 31 mOhms | - 2 V | - 29 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
279
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 45 mOhms | Enhancement | ||||||
|
Ein Angebot |
2,873
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | +/- 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 31 mOhms | - 2 V | - 29 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | +/- 8 V | SMD/SMT | X2-DFN2015-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 5.5 A | 26 mOhms | - 1 V | 23.7 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -30V -5.5A Si MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 19.3 mOhms | - 2.5 V | 18.8 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -20V -5.5A Si MOSFET | +/- 8 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 19.5 mOhms | - 1.2 V | 15.2 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
4,553
Verfügbar auf Lager
|
Toshiba | MOSFET P-Ch FET RDS 33mohm IDSS -10uA VDS -20V | SMD/SMT | VS6-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 150 mOhms | Enhancement | |||||||||
|
Ein Angebot |
2,389
Verfügbar auf Lager
|
Toshiba | MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel | +/- 8 V | SMD/SMT | UFM-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.5 A | 24.9 mOhms | - 1 V | 12.8 nC | Enhancement | |||||
|
siehe | ON Semiconductor | MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES | SMD/SMT | ECH-8 | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.5 A | 39 mOhms | |||||||||||
|
siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH/NPN 32V, 6A | - 20 V | SMD/SMT | PS8-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel, NPN | - 32 V | - 5.5 A | 27 mOhms | - 2 V | 34 nC | ||||||
|
siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 12V 5.5A | 8 V | SMD/SMT | VS6-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 5.5 A | 35 mOhms | Enhancement |
1 / 1 Seite