- Mounting Style :
- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
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13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,312
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.3 A | 18 mOhms | 28 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
4,800
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MZ | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.3 A | 17.5 mOhms | 22 nC | Enhancement | Directfet | ||||
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Ein Angebot |
244
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 8.3 A | 1.38 Ohms | 113 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,222
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.3 A | 14.4 mOhms | 4.9 V | 28 nC | |||||
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Ein Angebot |
2,484
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W | 10 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.3 A | 16 mOhms | 2 V | 33.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,647
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM | SMD/SMT | WDFN-8 | Reel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 17.4 mOhms | |||||||||||
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Ein Angebot |
513
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V NCHAN PwrTrench | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.3 A | 24 mOhms | PowerTrench | |||||||
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Ein Angebot |
2,659
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 17.5 mOhms | ||||||||
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Ein Angebot |
1,263
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 12nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 25 mOhms | 12 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,579
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 25 mOhms | 9.5 nC | ||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5 | 30 V | SMD/SMT | VSON-4 | - 40 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 8.3 A | 460 mOhms | 4 V | 31.5 nC | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
2,630
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 25 mOhms | 10.5 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,270
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.3 A | 25 mOhms | 9.5 nC | Enhancement |
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