- Package / Case :
- Number of Channels :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,233
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 14.5 A | 7 mOhms | Enhancement | PowerTrench SyncFET | |||
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Ein Angebot |
814
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | DualCool-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 14.5 A | 7.5 mOhms | 44 nC | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
896
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3 | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 14.5 A | 200 mOhms | OptiMOS | ||||||||
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Ein Angebot |
1,722
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 14.5 A | 2.5 mOhms | 46.9 nC | ||||
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Ein Angebot |
48
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 14.5A D2PAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 14.5 A | 200 mOhms | OptiMOS |
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