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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Tradename | |
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Ein Angebot |
258
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Infineon / IR | MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | Si | N-Channel | 40 V | 404 A | 1.3 mOhms | 460 nC | StrongIRFET |
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