- Hersteller :
- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
4,231
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | 8 V | SMD/SMT | X1-DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 730 mA | 460 mOhms | 1.6 nC | ||||
|
Ein Angebot |
7,426
Verfügbar auf Lager
|
Microchip Technology | MOSFET 100V 1.5Ohm | 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 730 mA | 1.5 Ohms | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | 8 V | SMD/SMT | X2-DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 730 mA | 460 mOhms | 1.6 nC |
1 / 1 Seite