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- Package / Case :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,128
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 230 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||
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Ein Angebot |
388
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 230 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | Si | N-Channel | 75 V | 230 A | 4.2 mOhms | HiPerFET | ||||||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 230 Amps 75V | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | Si | N-Channel | 75 V | 230 A | 4.2 mOhms | |||||||
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siehe | IXYS | MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET | SMD/SMT | TO-263-7 | Tube | Si | N-Channel | 75 V | 230 A | 4.2 mOhms | HiPerFET |
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