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- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 2.4 A | 7.5 Ohms | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
563
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 2.4 A | 3.6 Ohms | Enhancement |
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