Schaffung einer zuverlässigen Handelsplattform für globale Hersteller und Lieferanten.
Id - Continuous Drain Current :
Rds On - Drain-Source Resistance :
Qg - Gate Charge :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode Tradename
IXFN320N17T2
1+
$14.3040
5+
$14.1560
10+
$13.1960
25+
$12.6040
Ein Angebot
RFQ
98
Verfügbar auf Lager
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 20 V Chassis Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube 1 Channel Si N-Channel 170 V 260 A 5.2 mOhms 5 V 640 nC Enhancement HiPerFET
IXFK220N17T2
1+
$4.2080
10+
$3.8040
25+
$3.6280
100+
$3.1480
Ein Angebot
RFQ
91
Verfügbar auf Lager
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET 20 V Through Hole TO-264-3 - 55 C + 175 C Tube 1 Channel Si N-Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms 5 V 500 nC Enhancement GigaMOS, HiperFET
IXFX220N17T2
1+
$4.1680
10+
$3.7680
25+
$3.5920
100+
$3.1200
Ein Angebot
RFQ
100
Verfügbar auf Lager
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET   Through Hole TO-247-3     Tube   Si N-Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms       HiPerFET