- Mounting Style :
- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Ausgewählter Filter :
4 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | Tradename | |
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Ein Angebot |
100
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 32 A | 320 mOhms | 195 nC | HyperFET | ||
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Ein Angebot |
43
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 32 A | 320 mOhms | 195 nC | HyperFET | ||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 23 A | 350 mOhms | 195 nC | HyperFET | ||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 28 A | 320 mOhms | 195 nC | HyperFET |
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