- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Ausgewählter Filter :
16 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
21,735
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 41 mOhms | 550 mV | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
1,780
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 2.7 A | 105 mOhms | 3 V | 1.7 nC | PowerTrench | |||
|
|
Ein Angebot |
1,119
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 25 V | - 10 A | 44 mOhms | - 1 V | 1.7 nC | |||||
|
|
|
Ein Angebot |
5,012
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 41 mOhms | 300 mV | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
5,165
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 41 mOhms | 300 mV | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
5,400
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE | 12 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 2 A | 125 mOhms | 1.7 nC | Enhancement | |||||
|
|
|
Ein Angebot |
8,481
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES | 10 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.5 A | 410 mOhms | 1.7 nC | |||||||
|
|
|
Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PCH 1.8VDRIVE SERIES | +/- 10 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.5 A | 185 mOhms | - 1.4 V | 1.7 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
1,596
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 41 mOhms | 300 mV | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
1,559
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 41 mOhms | 300 mV | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
935
Verfügbar auf Lager
|
GaN Systems | MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor | 10 V | SMD/SMT | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | GaN | N-Channel | 650 V | 7.5 A | 560 mOhms | 1.6 V | 1.7 nC | Enhancement | ||||
|
|
Ein Angebot |
4,353
Verfügbar auf Lager
|
Toshiba | MOSFET Small Signal Mosfet | 20 V | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 30 V | 3 A | 140 mOhms | 2.5 V | 1.7 nC | Enhancement | |||||
|
|
Ein Angebot |
980
Verfügbar auf Lager
|
Panasonic | MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET | 8 V | SMD/SMT | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 1.5 A, 2 A | 225 mOhms | 350 mV | 1.7 nC | Enhancement | ||||
|
|
Ein Angebot |
5,950
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PCH+SBD 1.8V DRIVE S | +/- 10 V | SMD/SMT | SC-88AFL-5 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel, SBD | - 20 V | - 1.5 A | 645 mOhms | - 1.4 V | 1.7 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
1,488
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6 | 8 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2.3 A | 57 mOhms | 1.7 nC | |||||
|
|
Ein Angebot |
4,375
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE | +/- 10 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.5 A | 615 mOhms | - 1.4 V | 1.7 nC | Enhancement |
1 / 1 Seite
